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功率半導(dǎo)體

2020-2026年全球與中國功率半導(dǎo)體行業(yè)全景專項(xiàng)研究與發(fā)展趨勢分析報(bào)告

GLBDT

全球及中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模及競爭格局分析（附報(bào)告目錄）

1、功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品， MOSFET 和 IGBT 是未來 5 年增長最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。

相關(guān)報(bào)告：北京普華有策信息咨詢有限公司《2020-2026年全球與中國功率半導(dǎo)體行業(yè)全景專項(xiàng)研究與發(fā)展趨勢分析報(bào)告》

2、全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模及預(yù)測

近年來，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。2018 年全球功率器件市場規(guī)模約為 391 億美元，預(yù)計(jì)至 2021 年市場規(guī)模將增長至 441 億美元，年化增速為 4.1%。

資料來源：普華有策市場研究中心

3、中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模及預(yù)測

目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時(shí)，中國也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國，2018 年市場需求規(guī)模達(dá)到 138 億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達(dá) 35%。預(yù)計(jì)未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021 年市場規(guī)模有望達(dá)到 159 億美元，年化增速達(dá) 4.8%。

資料來源：普華有策市場研究中心

中國功率半導(dǎo)體市場中前三大產(chǎn)品是電源管理 IC、MOSFET、IGBT，三者市場規(guī)模占 2018 年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模比例分別為60.98%，20.21%與 13.92%。電源管理 IC 在電子設(shè)備中承擔(dān)變換、分配、檢測等電能管理功能。

2018 年我國電源管理 IC 市場規(guī)模為 84.3 億美元，2016-2018 年期間的復(fù)合年增長率為 2.88%。電源管理 IC 目前有提升集成度、模塊化、數(shù)字化的發(fā)展趨勢，同時(shí) GaN、SiC 等新型材料研發(fā)與應(yīng)用也為電源管理 IC 發(fā)展注入全新動(dòng)力。MOSFET 全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應(yīng)晶體管。MOSFET 具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)， MOSFET 市場規(guī)模占全球功率分立器件的市場份額超過 40%。

2018 年我國 MOSFET 市場規(guī)模為 27.92 億美元，2016 年-2018 年復(fù)合年均增長率為 15.03%，高于功率半導(dǎo)體行業(yè)平均的增速。在下游的應(yīng)用領(lǐng)域中，消費(fèi)電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額，其中消費(fèi)電子與汽車電子占比最高。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C 接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動(dòng) MOSFET 的市場需求，在汽車電子領(lǐng)域，MOSFET 在電動(dòng)馬達(dá)輔助驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向及電制動(dòng)等動(dòng)力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)揮重要作用，有著廣泛的應(yīng)用市場及發(fā)展前景。IGBT 全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管 BJT 和 MOSFET 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件。IGBT 具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于 MOSFET 和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT 的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

2016 年我國 IGBT 市場規(guī)模為 15.40 億美元，2018 年為19.23 億美元，對應(yīng)復(fù)合年均增長率為 11.74%。IGBT 是國家 16 個(gè)重大技術(shù)突破專項(xiàng)中的重點(diǎn)扶持項(xiàng)目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領(lǐng)域，IGBT 廣泛應(yīng)用于新能源汽車和消費(fèi)電子中；在 1700V 以上的高電壓領(lǐng)域，IGBT 廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。

我國 IGBT 起步較晚，未來進(jìn)口替代空間巨大，目前在軌交領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破和全面的國產(chǎn)化。此外，在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT 是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展，IGBT 將迎來黃金發(fā)展期。目前我國已經(jīng)通過大力研發(fā)與外延并購，在芯片設(shè)計(jì)與工藝上不斷積累，實(shí)現(xiàn)了功率二極管、整流橋、晶閘管等傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的突破，具備與國外一線品牌競爭的水平實(shí)力；在中低壓 MOSFET 產(chǎn)品、特定領(lǐng)域的電源管理 IC、MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)亦有所成就。在國家政策支持，產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業(yè)有望進(jìn)一步向高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁進(jìn)。

4、同行業(yè)主要企業(yè)情況

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國外同行業(yè)企業(yè)主要包括英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor ） 、 德 州 儀 器 （ Texas Instruments ） 、 意 法 半 導(dǎo) 體 （ STMicroelectronics）；國內(nèi)同行業(yè)企業(yè)主要包括士蘭微、華微電子、揚(yáng)杰科技、華虹半導(dǎo)體及先進(jìn)半導(dǎo)體。

報(bào)告目錄：

第一章 行業(yè)概述及全球與中國市場發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

1.1 功率半導(dǎo)體行業(yè)簡介

1.2 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分類

1.2.1 不同類型功率半導(dǎo)體增長趨勢（2020-2026年）

1.2.2 不同分類依據(jù)

1.2.2 .1 根據(jù)可控性分類

1.2.2 .2 根據(jù)驅(qū)動(dòng)形式分類

1.2.3 功率分立器件

1.2.3 .1 二極管

1.2.3 .2 MOSFET

1.2.3 .3 IGBT

1.2.4 功率模組

1.2.5 功率 IC

1.3 功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域分析

1.3.1 工業(yè)

1.3.2 通訊

1.3.3 汽車

1.3.4 消費(fèi)電子

1.3.4 .1 變頻家電更優(yōu)能耗，市場快速增長

1.3.4 .2 智能家居逐步普及激發(fā)功率半導(dǎo)體系統(tǒng)化解決方案需求

1.4 全球與中國市場發(fā)展現(xiàn)狀對比

1.4.1 全球市場發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢（2015-2026年）

1.4.2 中國市場發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢（2015-2026年）

1.5 全球功率半導(dǎo)體供需現(xiàn)狀及預(yù)測（2015-2026年）

1.6 中國功率半導(dǎo)體供需現(xiàn)狀及預(yù)測（2015-2026年）

1.7 功率半導(dǎo)體行業(yè)政策分析

第二章 全球與中國主要廠商功率半導(dǎo)體收入、及競爭分析

2.1 全球市場功率半導(dǎo)體主要廠商2017和2018年收入、及市場份額

2.2 功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度、競爭程度分析

2.2.1 功率半導(dǎo)體行業(yè)集中度分析

2.2.2 功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭程度分析

2.3 功率半導(dǎo)體廠商產(chǎn)地分布及商業(yè)化日期

2.4 功率半導(dǎo)體行業(yè)SWOT分析

第三章 從生產(chǎn)角度分析全球主要地區(qū)功率半導(dǎo)體收入、市場份額、增長率及發(fā)展趨勢預(yù)測（2013-2023年）

3.1 全球主要地區(qū)功率半導(dǎo)體收入、及市場份額（2015-2026年）

3.2 中國市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

3.3 美國市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

3.4 歐洲市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

3.5 日本市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

3.6 東南亞市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

3.7 印度市場功率半導(dǎo)體2015-2026年收入、及增長情況

第四章 從消費(fèi)角度分析全球主要地區(qū)功率半導(dǎo)體銷售額、市場份額及發(fā)展趨勢預(yù)測（2015-2026年）

4.1 全球主要地區(qū)功率半導(dǎo)體銷售額、市場份額及發(fā)展預(yù)測（2015-2026年）

4.2 中國市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額、增長率及發(fā)展預(yù)測分析

4.3 美國市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額、增長率及發(fā)展預(yù)測分析

4.4 歐洲市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額、增長率及發(fā)展預(yù)測分析

4.5 日本市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額、增長率及發(fā)展預(yù)測分析

4.6 東南亞市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額、增長率及發(fā)展預(yù)測分析

4.7 印度市場功率半導(dǎo)體2015-2026年銷售額增長率

第五章 全球與中國功率半導(dǎo)體主要生產(chǎn)商分析

5.1 重點(diǎn)企業(yè)（1）

5.1.1 英飛凌基本信息介紹

5.1.2 英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

5.1.3 英飛凌功率半導(dǎo)體收入及毛利率（2017-2019年）

5.1.4 英飛凌聯(lián)系方式

5.2 重點(diǎn)企業(yè)（2）

5.2.1 德州儀器基本信息介紹

5.2.2 德州儀器功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

5.2.3 德州儀器功率半導(dǎo)體收入及毛利率（2017-2019年）

5.2.4 德州儀器聯(lián)系方式

5.3 重點(diǎn)企業(yè)（3）

5.3.1 安森美基本信息介紹

5.3.2 安森美功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

5.3.3 安森美功率半導(dǎo)體收入及毛利率（2017-2019年）

5.3.4 安森美聯(lián)系方式

5.4 重點(diǎn)企業(yè)（4）

5.4.1 意法半導(dǎo)體基本信息介紹

5.4.2 意法半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

5.4.3 意法半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體收入及毛利率（2017-2019年）

5.4.4 意法半導(dǎo)體聯(lián)系方式

5.5 重點(diǎn)企業(yè)（5）

5.5.1 三菱電機(jī)基本信息介紹

5.5.2 三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹

5.5.3 三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體收入及毛利率（2017-2019年）

5.5.4 三菱電機(jī)聯(lián)系方式

第六章 不同類型功率半導(dǎo)體收入、及市場份額

6.1 全球市場不同類型功率半導(dǎo)體收入、及市場份額

6.1.1 全球市場功率半導(dǎo)體不同類型功率半導(dǎo)體收入及市場份額（2014-2019年）

6.1.2 全球市場不同類型功率半導(dǎo)收入、市場份額（2020-2026年）

6.2 中國市場功率半導(dǎo)體主要分類收入、及市場份額

6.2.1 中國市場功率半導(dǎo)體不同類型功率半導(dǎo)體收入及市場份額（2014-2019年）

6.2.2 中國市場功率半導(dǎo)體不同類型功率半導(dǎo)體收入及市場份額（2020-2026年）

第七章 功率半導(dǎo)體上游原料及下游主要應(yīng)用領(lǐng)域分析

7.1 功率半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析

7.2 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游材料及供應(yīng)分析

7.3 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)過程

7.4 全球市場功率半導(dǎo)體下游主要應(yīng)用領(lǐng)域銷售額、市場份額及增長率（2015-2026年）

7.5 中國市場功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域銷售額、市場份額及增長率（2015-2026年）

第八章 中國市場功率半導(dǎo)體產(chǎn)量、消費(fèi)量、進(jìn)出口分析及未來趨勢（2015-2026年）

8.1 中國市場功率半導(dǎo)體產(chǎn)量、消費(fèi)量、進(jìn)出口分析及未來趨勢（2015-2026年）

8.2 中國市場功率半導(dǎo)體進(jìn)出口貿(mào)易趨勢預(yù)測分析

8.3 中國市場功率半導(dǎo)體主要進(jìn)口來源

8.4 中國市場供需情況分析

8.5 中國市場未來發(fā)展的有利因素、不利因素分析

第九章 中國市場功率半導(dǎo)體主要地區(qū)分布

9.1 中國功率半導(dǎo)體生產(chǎn)與消費(fèi)地區(qū)分布

9.2 中國功率半導(dǎo)體市場集中度及發(fā)展趨勢預(yù)測分析

9.2.1 歐美日三足鼎立，中國廠商實(shí)力有待提高。

9.2.2 二極管市場集中度低，有望率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代

9.2.3 MOSFET中低壓市場有望替代，高壓市場取得突破

9.2.4 IGBT自給率不足 10%，國內(nèi)廠商逐個(gè)突破

第十章 影響中國市場供需的主要因素分析

10.1 功率半導(dǎo)體技術(shù)及相關(guān)行業(yè)技術(shù)發(fā)展

10.2 下游行業(yè)需求變化因素

10.2.1 工業(yè)領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)需求不斷提升

10.2.2 汽車電子價(jià)格提升，新能源汽車爆發(fā)增長

10.2.3 節(jié)能環(huán)保意識增強(qiáng)，智能電網(wǎng)普及

10.2.4 5G 爆發(fā)在即，通信行業(yè)對功率半導(dǎo)體需求激增

10.2.5 消費(fèi)電子領(lǐng)域 Type-C 接口普及，主板升級換代

10.3 市場大環(huán)境影響因素

10.3.1 中國及歐美日等整體經(jīng)濟(jì)發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)研

10.3.2 國際貿(mào)易環(huán)境、政策等因素

10.3.2 .1 國際貿(mào)易格局繼續(xù)深刻演變。

10.3.2 .2“逆全球化”升溫、國際貿(mào)易投資環(huán)境惡化

10.3.2 .3 外貿(mào)傳統(tǒng)競爭優(yōu)勢繼續(xù)弱化

10.3.2 .4 貿(mào)易摩擦加劇

第十一章 未來行業(yè)、產(chǎn)品及技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測分析

11.1 行業(yè)及市場環(huán)境發(fā)展趨勢預(yù)測分析

11.2 產(chǎn)品及技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測分析

11.2.1 碳化硅功率器件前景廣闊，歐美日三分天下

11.2.1 .1 SiC 二極管取代快恢復(fù)二極管

11.2.1 .2 SiC MOSFET 取代硅基 IGBT

11.2.2 氮化鎵（GaN）起步較晚，襯底成本高昂

11.3 產(chǎn)品價(jià)格走勢

第十二章 功率半導(dǎo)體銷售渠道分析及建議

12.1 功率半導(dǎo)體銷售渠道

12.1.1 當(dāng)前的主要銷售模式及銷售渠道

12.1.2 功率半導(dǎo)體未來銷售模式及銷售渠道的趨勢預(yù)測分析

12.2 功率半導(dǎo)體銷售/營銷策略建議

第十三章 普華有策研究成果及結(jié)論